晶态多孔氧化物稀磁半导体的制备与性能

基本信息
批准号:91022019
项目类别:重大研究计划
资助金额:50.00
负责人:陈接胜
学科分类:
依托单位:上海交通大学
批准年份:2010
结题年份:2013
起止时间:2011-01-01 - 2013-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:汤维刚,魏霄,雷芳,邹晓新,王敬峰,张豪杰,夏寅,靳蔷薇,王海群
关键词:
多孔氧化物稀磁半导体室温铁磁性晶态材料
结项摘要

稀磁半导体材料由于兼具半导体和磁性材料的性质,使同时利用半导体中的电子电荷与电子自旋成为可能,为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器件提供了条件。赋予多孔晶体材料稀磁半导体性质,旨在将多孔性质与稀磁半导体性质相结合,开发具有独特功能的新材料,揭示材料的新颖化学物理性质,开拓材料的应用领域。本项目拟深入探讨晶态多孔氧化物稀磁半导体材料的可控制备、材料微观结构与宏观磁学及半导体性质之间的关系,揭示多孔晶态稀磁半导体材料磁性本质。在此基础上,获得一系列具有良好功能的新型多孔稀磁半导体晶体并探索它们的实际应用。

项目摘要

稀磁半导体材料由于兼具半导体和磁性材料的性质,使同时利用半导体中的电子电荷与电子自旋成为可能,为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器件提供了条件。赋予多孔晶体材料稀磁半导体性质,旨在将多孔性质与稀磁半导体性质相结合,开发具有独特功能的新材料,揭示材料的新颖化学物理性质,开拓材料的应用领域。本项目拟深入探讨晶态多孔氧化物稀磁半导体材料的可控制备、材料微观结构与宏观磁学及半导体性质之间的关系,揭示多孔晶态稀磁半导体材料磁性本质。在此基础上,获得一系列具有良好功能的新型多孔稀磁半导体晶体并探索它们的实际应用。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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