In2O3纳米线阵列的外延生长、掺杂及其应用研究

在已经成功制备了ZnO、SnO2、In2O3等新型氧化物半导体一维纳米结构的基础上，本申请采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术和气相输运工艺在钇掺杂的氧化锆(YSZ)单晶衬底上外延生长大面积的In2O3纳米线阵列。研究Au催化剂颗粒大小、衬底温度、反应气氛、In2O3过渡层等实验参数对In2O3纳米线阵列生长的影响；对In2O3纳米线进行Sn、Ga、Mo等元素的掺杂，以调控其电学、光学特性；在优化工艺参数后，结合微细加工技术在ITO/YSZ衬底上制备图形化的竖直排列的In2O3系列纳米线阵列，研究其在真空电子场发射器件领域的潜在应用价值；在两ITO薄膜电极之间实现In2O3系列纳米线的横向跨越生长，研究这种自主装的纳米线器件在气敏、湿度传感器领域的应用。