GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性

稀磁半导体（DMS）具有一系列不同于常规半导体的磁学、光学和电学特性，例如：巨磁光效应和巨负磁阻效应等。因而，对DMS的研究不仅对自旋电子学理论的发展，而且对未来自旋电子器件，如高密度存储、磁场探测器、光隔离器件、半导体激光器集成电路及量子计算机等的应用具有重要意义。新近的理论和实验研究都表明(Ga,Mn)N薄膜在室温下可获得铁磁性，这非常有利于实际应用。该项目在GaN薄膜及量子点结构材料多年相关研究的基础上，提出并采用ECR-PEMOCVD方法低温自组织生长掺锰GaN基DMS量子点结构，探讨其形成机理；研究等离子体及制备工艺对DMS量子点结构室温下的磁学、光学和电学特性的影响及作用机理；采用在真空或等离子体气氛下的退火研究可能存在的锰离子激活问题，实现高浓度磁性杂的激活，研究在室温下具有磁性的量子结构的生长与特性。为纳米结构中自旋电子学的发展及新一代量子器件的研究打下基础。