影响GaAs微探尖阵列选择外延生长质量的关键技术研究

针对于06年底结题的基金项目中存在的主要问题，重点研究影响用于超高密度近场光存储的大面积均匀、尖顶尺寸小、重复性好的GaAs微探尖阵列选择生长质量的关键技术。包括以下几方面：1）改善选择液相外延生长GaAs微探尖表面质量的生长液脱片方法。解决金字塔状微探尖表面生长液残留问题；2）提高GaAs微探尖阵列制备重复性的过冷度精确控制方法。解决由配液物质称量不够准确或多晶GaAs源装炉前的化学处理损耗量存在差异带来的不同炉次样品生长时的过冷度不一致、从而重复性不够好问题；3）减小GaAs微探尖尖顶曲率半径的尖顶尺寸控制方法及其机理。解决由光刻和氧化物腐蚀工艺引起的尖顶尺寸较大问题；4）提高GaAs微探尖阵列大面积均匀性的优化工艺。解决由氧化物掩膜制备方法不够合适和外延生长条件不够优化造成的均匀性不够好问题。为实现由GaAs微探尖和VCSEL构造的单片集成式SNOM传感器走向实际应用打下良好基础。