光学声子辅助双势垒隧穿及相关输运问题

理论研究半导体双势垒中声子辅助电子隧穿和输运问题。首先对此类系统导出了便于研究电子与各支光学声子相互作用的哈密顿量。着重分析了各支界面光学声子对隧穿的贡献。研究了不同结构的非对称双势垒中的电子隧穿过程，计算声子发射率、声子辅助隧穿电流等，获得与前人不同的结果。根据理论结果，对实验观测到的隧穿电流在不同偏压位置出现之两个声子辅助峰提出了新的认识。较以前的理论工作对各支声子作用的认识更准确，与实验吻合更好。考虑外磁场和温度的影响，所获结果支持并更清楚地说明了这些事实。研究工作在国际上比较是先进并有特色的。研究结果在一定种度上推动理论发展，为进一步的研究工作奠定基础，对实验工作者了有一定的参考价值。