非晶态合金磁场传感器的机理及应用

基本信息
批准号:59475089
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:赵英俊
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨克冲,胡阳,熊良材,王俊峰
关键词:
磁场传感器信号检测非晶态合金
结项摘要

本课题研究了非晶态合金的磁学效应和磁敏机理,建立产分析了非晶态合金磁场传感器的简化磁通门模型和脉冲感应型磁场传感器的等效电路模型。提出了两种新的脉冲感应型磁场传感器结构:单芯单线圈双向励磁结构和单芯双线圈单向励磁结构。后者是目前条件下非晶态合金脉冲感应型磁场传感器的最佳结构。施加磁场负反馈是改善传感器非线性的有效手段。综合考虑多种因素,采用四线并绕工艺制成的脉冲感应型磁场传感器的量程可达±10mT,非线性<3%。这种磁场传感器在弱磁场测量、无损检测、芯棒监测、电流测量等工程测试领域具有广泛用途。发展新型非晶态合金敏感材料是非晶态合金磁场传感器技术进一步研究、发展的关键。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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