应变层量子阱结构稳定性研究

应变量子阱结构扩大了异质结构的组成范围，为能带工程的发展奠定了基础。由于量子效应和应变效应使它在光电子器件的研制方面表现出极大的优势。但它是一个亚稳结构，其稳定性是它应用的关键问题。研究中给出了非应变盖层、垒层对应变稀释作用的表达式；首次引入90°位错及60°位错与90°位错相互作用机制；提出位错在上下界面分布比例系数η；给出一个能将单结点和双结点统一起来混合机制的表达式；从而大大充实了应变量子阱稳定性的理论。这一研究结果可指导光电器件研制中应变量子阱的结构设计、生长条件的优化，提高应变量子阱材料与器件的质量，并为研究应变补偿量子阱结构稳定性打下基础。发表论文13篇（其中SCI收录4篇）。很好的完成了本项目。