本工作是用离子束增强沉积法(IBED)在硅视底上制备立方氮化硼(C-BN)薄膜及研究镀膜对膜进行了分析,结果指出:用此法制备成了含有C-BN的氧化硼薄膜。研究了轰击离子束密、镀膜速率、轰击束中氨气的含量、衬底温度及添加剂的影响,结果指出:(1)在给定的轰击不能量与束密下氮化硼薄膜中C-BN的含量是随镀膜速率而变化的,且存在一个最佳镀膜速率值;(2)提高离子轰击速密,则此最佳镀膜速率值也相应增大;(3)镀膜速率又是随轰击离子束密及轰击束中氩气含量的增大而减小的;(4)衬底温度在400℃以下时膜中C-BN的含量是随温度提高而增加的;(5)用铜、镁、镍、钴做添加剂,膜中立方相的含量没有明显增加。
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数据更新时间:2023-05-31
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