低强度650 nm GaInP/AlGaInP半导体激光促进中性粒细胞胞外杀菌网形成的机制研究
基本信息
批准号：60878061
项目类别：面上项目
资助金额：36.00
负责人：刘承宜
学科分类：
依托单位：华南师范大学
批准年份：2008
结题年份：2011
起止时间：2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：朱玲,吴敏,王艳芳,李方晖,梁雅,戴磊娟
关键词：
蛋白质内稳态细胞器中性粒细胞胞外杀菌网光生物调节作用
结项摘要
世界范围的细菌耐药性呼吁新的抗菌策略，低强度激光或单色光（LIL）对免疫功能的康复是候选手段之一。中性粒细胞（PMN）是体内的第一道防线，主要通过呼吸爆发介导的吞噬杀菌和自杀介导的胞外杀菌网（NETs）形成两种方式杀菌，而且后者的杀菌功能比前者强。我们曾经发现LIL促进PMN呼吸爆发的信号转导通路。最近，我们用地塞米松抑制PMN形成NETs从PMN的角度建立了炎症的ex vivo细胞模型（ePMI），发现低强度650 nm GaInP/AlGaInP半导体激光（LGDL）可以促进ePMI形成eNETs（eNETs代表ePMI所形成的胞外杀菌网）。本项目将比较NETs与eNETs的杀菌能力，研究LGDL的剂量关系，利用激光扫描共焦显微镜和逆转录-聚合酶链反应等手段揭示微管与内质网等细胞器和蛋白质内稳态在LGDL促进ePMI形成eNETs中的作用，促进LIL抗菌治疗方法的建立和临床应用
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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