新型有源寻址面阵探测器的研究

采用改善了的a-si TFT/PIN耦合对等效电路模型及数值模拟计算方法对其进行了理论模拟计算与分析，得出影响有源探测单元各部分材料性能与器件结构的相关参数，有力地指导了器件设计思路并用AUTO CAD进行了版图设计。通过对TFT内重要界面的H处理、采用AL：Ti合金栅及AL2O3/SiN双栅绝缘层结构，低电导激活能和离电导率的Mo：Si合金层作内联导电薄膜材料、双结PIN结构、低温固化PI作a-si TFT 和PIN之间的隔离层等系列由理论设计到工艺的研究，使a-siTFT的开关比（Ion/Ioff）达10（（8），迁移率达0.87cm2/vs，为当前国际文献发据相当水平。并使a-Si PIN光敏探测元和a-Si TFT的均匀性分别达±2%及±3%。经测试满足探测速度要求。