随着电子器件的日益微型化,薄膜晶体生长原子过程研究,受到了当前国际上的高度重视。本项目应用全势能LMTO方法,XDVM方法及我们发展的与跃迁类型有关的MC模拟晶体生长方法,深入研究其中三个最基本的原子过程:吸附原子扩散的台阶边缘势垒,杂质原子对上述势垒的影响,最新发现的吸附原子岛集体迁移的微观机制及对薄膜生长的影响。.
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数据更新时间:2023-05-31
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