新型垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器

以往的GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱红外探测器一般采用(100)GaAs衬底并在样品表面上制作光栅来产生垂直入射光电流信号。然而，这种器件的探测率不高。我们采用两种方法来提高垂直入射器件的探测率；1除了利用多量子阱中子带间跃迁产生光吸收外，还利用子带内的等离子体振荡来产生红外吸收。实验证明，利用等离子体振荡实现垂直入射横向光电导能产生较强的光电流信号；2在（211）GaAs高指数面衬底上生长AlAs/AlxGa1-xAs第二类多量子阱来制作垂直入射光探测器。由于采用了高指数面，垂直入射光相当于倾斜入射（100）结构。在这种结构中，AlAs层是量子阱AlxGa1-xAs是势垒。这种器件所获得的黑体探测率大约为1×10（10）cmHz（1/2）/W。