激光超声研究I

已基本完成的<扫描隧道显微镜半导体表面结构电子能谱研究>项目研究内容为自行设计建造超高真空扫描隧道显微镜，扫描隧道谱仪在原子或纳米尺度观察理想半导体表面及有关的表面物理现象。考虑到半导体抛光片表面质量（平整度，清洁度）问题严重影响我国半导体材料工业的生存与发展，研究重点转向实际表面精细加工的技术问题并开发了在恒电位控制下的电化学扫描隧道显微镜，扫描隧道谱以便在电解溶液中原位观察研究半导体表面微缺陷的产生和粗化原因；固液界面的电子、电化学特性。探索提高表面质量的方法、优化工艺条件，取得重要发展。同时观察到掺杂浓度对GaAs隧道谱的影响及氮离子注入Ti/n-GaAs界面Schottky势垒高度有明显提高等基本现象。