针对高深宽比硅微结构等离子体低温刻蚀技术研究
基本信息
批准号：50205020
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：23.00
负责人：卢德江
学科分类：
依托单位：西安交通大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王朝晖,陈伟,高建忠,王晓强,陈敏,任国栋,苑国英
关键词：
刻蚀微型机电系统深宽比
结项摘要
高深宽经硅微结构和加工需要严格的各项异性等离子体深刻蚀，等离子体低温刻蚀工艺由于其独特的刻蚀机理能够满足这一加工要求。本项目集中研究该刻蚀技术产生各向异性刻蚀的物理化学机制及其相关的工艺影响因素，研究的深入进行将促进该项刻蚀技术实际应用于MEMS与1C的研究和生产实践之中。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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