首次将He生微孔局域寿命控制技术应用于SOI电导调制横向功率MOS器件。引入有效寿命概念,建立He生微孔局域寿命控制电导调制功率MOS器件的静态和瞬态响应模型。借助非准静态湓死砺郏竦闷渌蔡煊μ匦约溆肫骷问涞墓叵怠>荽四P脱兄瞥隹厮俣仍?.3~0.5us、耐压为300~600V含有局域寿命控制的SOI LIGBT器件。此项研究普适于电导调评喙β势骷
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数据更新时间:2023-05-31
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HPLC 与 HPCE 结合测定复方湿生扁蕾胶囊中 6 种化学成分含量
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