新型氟(氯)负离子储存-发射功能材料及其在半导体蚀刻中应用基础研究

基本信息
批准号:50772107
项目类别:面上项目
资助金额:29.00
负责人:李全新
学科分类:
依托单位:中国科学技术大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:屠兢,俞寿明,王莲,宋崇富,王兆祥,阚涛,董婷,宫璐,叶同奇
关键词:
氯负离子发射机理半导体蚀刻氟负离子储存发射功能材料
结项摘要

氟负离子和氯负离子在半导体蚀刻、薄膜材料的制备及其改性、大气化学、生物化学和负离子质谱技术等领域具有重要的应用前景。利用负离子储存-发射材料产生气相负离子是申请人近年提出的一种产生高纯负离子的新方法,它与传统的放电和电子溅射等方法相比,具有设备简单(只需要加热和外电场)和选择性高(有选择性的储存和发射)的特点。.本课题提出以合成新型氟负离子和氯负离子储存-发射功能材料和研究材料的储存-发射机理为基本目标,通过材料制备、材料结构分析、储存特性分析、发射特性分析、连续负离子源建立等方面深入的理论和实验研究,弄清F-/Cl-负离子形成过程、负离子储存机理、负离子发射机理以及材料结构-性能之间的关系;获得产生高纯稳定的氟负离子和氯负离子的新方法。同时研究发射的F-/Cl-负离子束应用于半导体材料表面改性和蚀刻的新技术,努力取得一批具有自主知识产权的创新性成果。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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