半导体超晶格(量子阱)电极的光电化学研究

基本信息
批准号:29273139
项目类别:面上项目
资助金额:5.00
负责人:肖绪瑞
学科分类:
依托单位:中国科学院理化技术研究所
批准年份:1992
结题年份:1995
起止时间:1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李学萍,闫春辉,林瑞峰,贾建光,刘尧,于永玉
关键词:
***
结项摘要

设计生长了适合光电化学研究中的九种不同结构的单多阱晶格,匹配型GaAs/AlxGa1-xAS量子阱电极研究在非水溶液中的光电转换性能以及电极结构电极电位氧化还原离子等因素的影响并设计生长变研究阱宽多周期的量子阱电极其激子吸附覆盖了整个测量波长量子产率远大于GaAs电极进一步研究了单多量子阱电极在非水溶液中的空间电荷层性能表面态性能提出表面分子相互作用的机制等,在光电流谱光电压谱以及电介液电反射谱中都出现了对应于重轻空穴跃进的结构峰说明量子阱电极存在明显的光电化学量子限制效应,通过界面动力学行为的研究证实量子阱电极比GaAs体材料非电极的表面态寿命长表面复合程度小稳态光电流大计算表明量子阱中载流子的垂直输远过程为热发射机制.

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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