高功率垂直腔面发射激光器的研究

基本信息
批准号:60636030
项目类别:重点项目
资助金额:160.00
负责人:陈良惠
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2006
结题年份:2010
起止时间:2007-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:郭良,渠红伟,王青,高建霞,王小东,杨晓杰,石岩,孙捷
关键词:
列阵外腔高功率VCSELs
结项摘要

高功率的半导体激光器可以应用在材料加工、激光印刷、激光医疗、激光雷达、激光泵浦、空间激光通讯等诸多领域。而随着外延材料质量的提高和湿法氧化等器件工艺技术的进展,高功率的垂直腔面发射激光器(VCSELs)也迅速发展起来,并以其优越的性能,有望取代传统的边发射激光器。目前,国际上的高功率VCSELs的研究正成为热点,并与列阵技术、外腔技术、腔内倍频技术结合,不仅大幅度提高了输出功率,而且还可以改变输出波长。而国内高功率VCSELs的研究仅处于器件工艺的研究阶段,与国际上的研究水平有较大差距。.因此,高功率VCSELs的研制(包括理论设计、材料生长、工艺优化以及与其他技术的结合),不仅拓宽了国内半导体激光器的研究领域,而且对于打破国外封锁、获取自主知识产权、抢占战略制高点有重要意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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