Fe3O4－SiO2－Si结构中Fe3O4薄膜磁电阻放大机制的研究

本项目计划开展Fe3O4－SiO2－Si结构中Fe3O4薄膜磁电阻放大机制的研究。Fe3O4－SiO2－Si结构具有与金属－氧化物－半导体场效应管相似的结构，而且该结构对Fe3O4的磁电阻效应具有放大作用。Si基半导体器件的制备技术非常成熟，因此该结构的放大型磁电阻具有较高的应用前景。然而，对M－SiO2－Si结构中电流输运的本质并没有清晰的解释。由于Fe3O4薄膜和SiO2层的厚度是影响该结构电流通道转换及磁电阻的主要因素，因此，本项目计划在不同Si基片上原位生长SiO2，严格控制SiO2的厚度和纯度，调整电流通道的转换温区，提高室温的放大型磁电阻效应；制备超薄的Fe3O4薄膜，通过提高Fe3O4的磁电阻来提高该结构的磁电阻。预期通过结合Hall效应等各种测试手段对一系列Fe3O4－SiO2－Si结构输运性质的研究，能够对该结构输运性质的微观机制给出清晰解释，对下一步的器件制作提供指导。