强无序准二维电子体系的输运性质的实验研究

基本信息
批准号:19474005
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:王世光
学科分类:
依托单位:北京大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:闫守胜,戴远东,陈名玲,戴伦,李国红,王敏,修凯
关键词:
结项摘要

根据介观物理近年来研究动向及人工微加工和介观物理重点实验室研究侧重点考虑,进行了一定的调整,开展了介观物理的光学微腔物理探索。较为全面地调查和评述了九十年代兴起的介观物理光这微腔领域的研究状况及基本动向,以二十世纪最后一类新型半导体——Ⅲ族氮化物为基础材料及其微腔为对象,提出研究和制备氮化镓及其相关化合物微腔的可行性方案。对MOCVD和MBE生长的Ⅲ族一氮化物及其合金系薄膜与量子阱结构,建立了相应光学和电学等基本特性测试手段。进行了氮化镓微米和亚微米加工技术的探索性试验,特别是提出、探索和发展了一种简易可行的GaN光辅助湿法腐蚀,已初步应用于GaN基微腔开制并显示很好的苗头,受到国内外同行的关注。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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