Graphene场效应管散射机制的研究

作为下一代很有希望取代硅的器件，石墨片（Graphene sheet）器件（本文中简称Graphene器件）近几年被提出并在工艺及材料、器件理论等方面得到迅速发展。目前原理型单层Graphene场效应管（FET）已经被组装，但尚无法达到实际应用的要求，迫切需要结构的改进和创新，其理论依据依赖于各种散射机制对传输特性的影响，目前相关的研究刚刚起步。多层GrapheneFET比单层GrapheneFET更具有实际意义，其主要散射机制有：Graphene材料自身的散射机制，包括掺杂、缺陷、条带边界、以及应力下晶格形变引起的散射等；结构带来的散射机制，包括Graphene多层耦合散射，沟道/氧化层界面结构带来的散射，氧化层缺陷带来的散射，以及由衬底材料极化产生的散射。本课题将在已有工作基础上，运用第一原理、量子输运等理论和计算结合实验测试研究纳米尺度下多种散射机制对器件特性影响的规律。