单芯片白光LED的发光机理研究

GaN基LED在照明市场的前景备受全球瞩目，它将成为21世纪的新一代光源，以替代白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯等传统光源。在蓝宝石衬底上生长无荧光粉的单一结构InGaN白光发光GaN材料是简化现有白光LED工艺、提高LED性能、大幅度降低成本的重要方法。尽管单芯片白光GaN LED生长国内外已经研究多年，但均没有得到可应用的技术。我们研制的单芯片白光LED，在实验室已经有了较好的结果，在2007年12月的compoundsemiconductor杂志的Research review专栏得以报道。主要研究内容包括对量子调控的InGaN量子点的微观机理、白光色温的控制、关键的物理参数的控制和表征进行深入、细致的研究。目的是为后续的大幅提高发光强度等应用基础研究打下基础。