用低压MOCVD技术在CaAs衬底上外延生长了p-i-n ZnSe/ZnCdSe组合超晶格,通过控制ZnCdSe势阱层的生长时间和组份Cd的含量来获得二个基态激子能级。在该组合超晶格的发光光谱上,可观测到三个发光谱带,分别来自该样品的浅阱和深阱,通过变密度激光的发光光谱和时间分辨谱,证实了该样品中存在载流子注入效应。深入研究了该样品中的激子与声子的相互作用。首次观测到该样品中的光泵受激发射。详细地研究了该样品的电光调制反射谱,首次发现该样品在室温下有良好的电光调制特性;还研究了该样品中势垒高度的影响,发现了势垒高不易受电场调制;势垒低则易受电场调制。因此可利用它在同一器件中实现多波段电光调制。
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数据更新时间:2023-05-31
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