Pb(ZrTi)O3-PbO赝二元系相图及PZT晶体生长研究

复合钙钛矿结构的锆钛酸铅固溶体（PbZr1-xTixO3：PZT）是经典的压电陶瓷材料，预计该固溶体单晶在其准同型相界成分附近将表现出比陶瓷更为优异的压电性能。但是，由于生长技术的局限，迄今为止还很难获得厘米尺寸的PZT晶体，从而限制了PZT晶体的研究和应用。本项目从PZT-PT赝二元系相图研究入手，探索适合PZT晶体生长的助熔剂配比，采用通气诱导成核新生长工艺，在坩埚下降炉内生长PZT晶体。通过对晶体的形貌观察和缺陷分析，提出PZT晶体生长机理，指导晶体生长工艺参数的优化。同时，研究所生长晶体的铁电、压电、电光性能，摸清晶体性能与组成的依赖关系，探讨PZT晶体优异压电性能的物理机理。