新型半导体纳米树阵列的液相生长和性能研究

基本信息
批准号:50872158
项目类别:面上项目
资助金额:38.00
负责人:吴明娒
学科分类:
依托单位:中山大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王静,梁今明,李秀艳,田俐,杨贤锋,庄健乐,展红全,陈立桥,傅俊祥
关键词:
液相生长光电性能纳米树阵列界面结构半导体
结项摘要

在无金属催化剂作用下,采用环境友好的、经济的、温和的简单溶液化学制备方法,在各种基片上大面积生长晶体学结构上各向异性的同质甚至异质界面结构的新型无机半导体纳米树阵列。通过控制成核和生长,大面积制备纳米树阵列,并调变纳米树主干的生长取向、纳米树在基片上的生长密度、纳米枝的生长方向以及在主干各晶面上的生长密度。研究溶液中各生长基元、无机离子(矿化剂)、有机分子(表面活性剂)以及生长温度、时间等对纳米树及阵列结构参数的影响,研究材料中的主干与枝之间的界面结构关系,研究材料的光电、催化、表面润湿性等性能,探索特定方向的共轭强化功能,确认合成条件与结构、生长方向、密度、各晶面的显露程度以及这些参数与相关物理、化学性能的对应关系。提出合理的晶体生长机理和物理机制,努力发展一类性能增强的新型半导体纳米材料,为制备高性能纳米结构材料和新一代集成光电子纳米器件的研发提供一些新的研究内容和技术储备。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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