CVD/CVI制备SiC的气相反应机理研究
基本信息
批准号：50572089
项目类别：面上项目
资助金额：26.00
负责人：苏克和
学科分类：
依托单位：西北工业大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：胡小玲,叶雅静,王欣,邓娟利,胡黎东,王艳丽,姚小平
关键词：
气相反应CVICVD机理SiC
结项摘要
由三氯甲基硅烷热分解进行化学气相沉积(CVD)或化学气相渗透(CVI)制备高性能碳化硅结构材料的气相化学反应机理很难通过实验方法研究。本项目拟用量子力学方法，系统研究CVD/CVI制备SiC材料/构件过程中气相反应的机理，具体包括各基元反应的热力学和微观动力学。热力学研究将获得全面的高温热化学数据，从而揭示不同条件下各种中间组分的浓度分布与分布规律；微观动力学包括各基元反应过渡态和中间体的结构、能量和反应通道。研究方法采用新近发展起来并达到定量精度的精确模型算法。弄清CVD/CVI制备SiC的气相化学反应的客观规律和细节，将给该材料/构件制备的微观设计、工艺优化以及质量保障，提供最本质的科学依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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