紫外写入技术制备光波导器件基础研究
基本信息
批准号：60477035
项目类别：面上项目
资助金额：23.00
负责人：胡雄伟
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：吴远大,王红杰,李建光,郜定山,安俊明,李健,夏君磊,龚春娟
关键词：
光敏性紫外写入火焰水解法光波导SiO2厚膜
结项摘要
研究采用紫外写入技术（UV-writing）制备光波导器件的新技术。采用火焰水解法（FHD）和等离增强化学气相沉积法（PECVD）在硅基片上淀积掺杂的SiO2波导材料，并用KrF准分子激光脉冲进行曝光，研究其光致折射率变化特性。探索光敏机制，研究GeO杂质浓度和高压掺氢对光敏性的影响，寻找提高光敏性的方法和措施，据此确定生长SiO2光波导材料的最佳工艺条件。研究光致折射率变化量与KrF准分子激光脉
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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