MeV原子微团束与物质相互作用研究

利用加速器引出的MeV能区小尺寸团簇本课题完成了它们在固体介质中的能量损失测量和在Si单晶中引起损伤机制的研究。由於发展了新的实验装置和方法，清楚的观察到Si2，3团簇离子在C膜中能量损失与相同单原子能量的原子离子相比具有明显的增强效应。这种效应主要发生在C膜的近表面薄层（≤10nm）内，随薄层厚度增加，该效应迅速减弱直至完全消失。Si2，3团簇离子在Si单晶中产生辐照损伤的实验结果与由重离子引起损伤的机制不同，在明显低于电子阻止在领阈值（28keV/nm）时，由电子阻止引起的损伤不能忽略。考虑到团簇离子在Si单晶近表面薄层中产生很高的电子能损的能量密度，局P温度升高产生的退火效应可以定性地解释本研究课题观测到的实验结果。