量子阱及新结构GaAlAs超辐射发光管

基本信息
批准号:69477022
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:姜秀英
学科分类:
依托单位:吉林大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张晓波,刘颖,刘素平,刘保全,刘自强,高鼎三
关键词:
超辐射发光二级管
结项摘要

超幅射发光管即具有半导体激光器功率大,响应速度快的优点,又具有发光管低噪音,频谱宽的特点,有广泛的应用前景。 推进该项目在我国的发展,我们设计和研制了附加吸收区和抗反射膜两种阶梯衬底内条形新结构超幅射发光管。这种器件结构巧妙地利用非平面衬底液相外延性质,使内电流通路在晶体外延生长时自然形成,大大简化了工艺,并可降低工作电流,提高响应频率和可靠性,已研制出批量带光纤的实用化该种器件。和美国西北大学材料研究中心合作,对量子阱超幅射发光管进行了研究。提出了将超幅射发光管和光放大器进行单片集成,以进一步提高超幅射输出功率的新思想,并做了初步实验。很好地全面完成了该项目任务,且有更进一步的创新和进展。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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