近年来关于PVDF基铁电聚合物LB薄膜的表面和低维特性是本领域的研究热点之一。利用P(VDF-TrFE)合成的LB(Langmuir-Blodgett)的能带结构表现出n型半导体特征,因此作为铁电存储材料有着诱人的应用前景。本项目利用第一性原理计算的方法对铁电聚合物PVDF、P(VDF-TrFE)和P.VDF/TeFE的表面的基态结构和电子结构进行研究,揭示在表面电子结构和原子的位置会发生如何变化
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数据更新时间:2023-05-31
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