真空中高压兆赫兹脉冲下圆台型绝缘子的沿面闪络特性研究

沿面闪络现象严重限制了真空-介质复合绝缘系统的整体性能。脉冲功率技术向高重复频率方向发展对真空固体绝缘技术提出了更高的要求。脉冲功率技术中的标准真空45 绝缘结构在沿面闪络机理方面存在阴极引发机制和阳极引发机制（绝缘子表面一般会出现从阳极出发的树枝状放电痕迹）的争论，MHz脉冲加载下绝缘子的沿面闪络特性也有待研究。本项目拟利用MHz脉冲功率系统，结合高速摄影技术来开展真空45 绝缘结构在MHz高压脉冲加载下沿面闪络特性研究。项目拟研究真空45 绝缘体典型材料（尼龙、有机玻璃和交联聚苯乙烯等）的比较准确的统计学常数、沿面闪络击穿时延随脉冲频率的统计规律、沿面闪络随外电路特性的变化规律以及沿面闪络的机理。该项目的开展对于理解沿面闪络机理和脉冲功率技术的工程应用都具有重要意义。

沿面闪络现象严重限制了真空-介质复合绝缘系统的整体性能。脉冲功率技术向高重复频率方向发展对真空固体绝缘技术提出了更高的要求。本项目利用MHz脉冲功率系统，结合高速摄影技术开展了真空45度绝缘结构在MHz高压脉冲加载下沿面闪络特性研究。项目研究了真空沿面闪络实验的有效性问题，认为从电压波形、光学信号、绝缘子表面烧蚀痕迹和电极烧蚀等信息进行综合判断才能确认是否发生了沿面闪络；项目获得了绝缘子典型材料（尼龙、有机玻璃和交联聚苯乙烯等）的比较准确的统计学常数；获得了绝缘子沿面闪络击穿时延随脉冲频率的增加而降低的统计规律，分析认为这是绝缘子的表面电荷积聚造成的；根据绝缘子表面出现的从阳极出发的树枝状放电痕迹，认为这可由流注理论来解释。该项目的开展对于理解沿面闪络机理和脉冲功率技术的工程应用都具有重要意义。