半导体发光器件在大电流下的电特性与发光特性

我们采用自建的以正向交流电特性与I-V 测量结合的方法精确表征半导体二极管的正向电特性，发现二极管串联电阻中的欧姆接触电阻都是非线性的，激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容等电特性在阈值处同时呈现突变，理想发光二极管大电流下的结电压完全饱和且理想因子随电流增加而下降，这些结果都得到国际权威刊物高度认可。本项目拟大幅度提高各种激光二极管的电学特性在阈值附近突变的测量精度，完成阈值附近各种发光特性的高精度和高灵敏度的判定性实验测量，确定对应的远离平衡态相变级数；将半导体器件物理与耗散理论和协同论结合，建立能够解释阈值附近电特性突变的唯象和动力学理论模型；研究不同结构、材料和工艺的发光器件在大电流下光、电特性之间的关系，探讨用电特性表征发光特性的方法，为高亮度器件研制服务；研究氮化镓基器件的欧姆接触层内的电场分布并对改善p型材料的欧姆接触作出贡献。本项目具有重要的学术意义和应用价值。