应用于RF-SOC的SOI LDMOS器件优化设计与大信号模型研究

SOI LDMOS器件在RF-SOC领域具有良好的应用前景。本项目将针对SOI LDMOS器件结构优化与大小信号模型开展如下研究：针对SOI衬底和射频功率应用，研究SOI RESURF解析模型，结合TCAD软件对LDMOS器件结构进行优化设计；高质量器件级PSOI材料制备与提高质量机理研究，设计并研制电学和热学性能优于SOI的PSOI LDMOSFET，使其能够有效改善雪崩击穿、浮体效应以及自加热问题，提高器件的射频性能；500MHz～5GHz 频率范围SOI LDMOSFET大、小建模技术研究，包括以SP/PSP模型为本征模型的模型方程研究、含射频寄生的模型拓扑架构的研究、模型参数的解析提取技术的研究、考虑SOI衬底损耗的精确去嵌技术研究等；采用Verilog实现模型在ADS等软件中的编译和链接，为基于SOI CMOS工艺进行高性能射频（功率）集成电路设计提供CAD基础。