锗基MOS器件的关键工艺技术研究

随着常规硅基MOS器件的尺寸逐渐接近物理极限尺度，器件的性能能否继续按摩尔定律发展成为问题。为了进一步提高器件的性能，人们需要研究开发新型的材料和器件结构。锗材料的载流子迁移率要比传统的Si材料大得多，所以利用锗材料作为MOS器件的沟道材料可以大大提高MOSFET沟道区载流子迁移率、提高器件性能，因此锗基高迁移率MOS器件已成为目前国际上微电子器件研究中的热点。本项目将在现有的常规硅基工艺基础上研究适合锗基高迁移率MOS器件制备的各项关键工艺技术。主要包括从理论上研究Ge基肖特基MOS器件的物理机制和工作原理，根据模拟结果对器件各项工艺参数进行优化设计；研究Ge基上高K栅介质/金属栅极的工艺制备技术；研究应用于源漏的金属锗化物材料的制备工艺；在Ge衬底上制备高K栅介质/金属栅与源漏锗化物MOS器件，解决各项关键工艺技术难题，制备出具有高迁移率的Ge基MOS器件。