电化学组装ZnSe基纳米异质结构光电特性

宽带隙II-VI族半导体ZnSe具有优良的光电特性，在红外、蓝绿发光、非线性光学、光电信息处理和辐射探测等诸多领域有着广泛的应用。本项目采用准二维电沉积生长方法，通过电沉积在半导体ZnSe中掺杂金属元素Ga和As，得到ZnSe的p型和n型半导体；并在硅衬底上实现结构和单元可控ZnSe基纳米异质结构的电化学组装；结合晶体生长理论、电化学反应理论和统计热力学理论，从物质传输、输运反应和成核生长方面，系统研究其微观生长机理；综合研究控制工艺，探索掺杂ZnSe的p型和n型纳米结构的最佳制备工艺，获得ZnSe基p-n纳米异质结阵列的可控和有序化制备技术。探索掺杂含量、尺寸、结构对ZnSe基纳米异质结构光学和电学性能的影响，总结出可调控的半导体纳米结构的电学和光学特性，探讨出该纳米结构体系耦合与协同效应的物理根源，发展相关理论，为制备新型光电功能材料提供重要的实验和理论依据。