反射电子显微学理论和实验研究

基本信息
批准号:19274051
项目类别:面上项目
资助金额:6.00
负责人:李宗全
学科分类:
依托单位:中国科学院合肥物质科学研究院
批准年份:1992
结题年份:1995
起止时间:1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:沈辉,秦勇,汪连山,彭道响
关键词:
***
结项摘要

本课题利用造射电子显微镜进行反射电子显微学研究工作,观察了金属单晶、半导体、铜双晶解理断口的反射电子显微像,其中包括贵金属单晶表面的微结构;半导体解理断口形成过程中裂纹在不同解理如上交替扩展的机制,并解释了解理纤维、低放大倍率下河流图案的形成机制,首次实现了铜双晶沿晶断口的反射电子显微求观察,确定了∑33a晶界小面的指标,经渗钗验化处理的界面主要由(001)、(210)和(120)小面组成。将Bloch液法与片层法相结合进行反射电子显微像的计算机模拟,进行反射电子显微像的强度分析,三年中在国内外会议上发表四篇论文,国外刊物上发表七篇,国内刊物上发表九篇,其中收入SCI的论文五篇,国外学者多次来年索取抽印本。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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