采用电化学腐蚀、离子束刻蚀和溅射硬磁层法研制了一种曲率半径约为20nm的钨丝针,可用于MFM测试;沿用“七五”攻关课题成果制作硬磁盘MIG磁头和薄膜磁头,为课题研究提供了设计参数已智的测试磁头样品;研究了电子束蒸发NiFe AMR薄膜和磁控溅射NiFe AMR薄膜制备工艺及工艺参数对薄膜性能的影响;CAD设计了AMR传感器全套集成工艺掩模版结构图,并制造了一套掩模版;用上述NiFe AMR 薄膜及掩模版制作了传感器;用MFM观察了磁头前间隙边缘磁场分布、磁头极尖处磁畴、AMR膜磁畴及硬磁盘已存信息位的剩磁分布花样。对所观测的结果与原计划和某些理论计算结果进行了对比分析。
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数据更新时间:2023-05-31
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