N型庞磁电阻薄膜和钙钛矿氧化物异质结的制备及研究

本课题是对两种电子掺杂n型庞磁电阻材料镧锑锰氧和镧镨锰氧的研究。首先用脉冲激光沉积方法生长两种材料的外延薄膜，通过制备不同掺杂浓度和不同厚度的薄膜，探索生长高品质薄膜的各种工艺参数如衬底温度、气压和靶距等，并对外延薄膜的形貌、晶向、能级特征、电输运和磁性质等进行研究。在生长薄膜成功的基础上，用激光分子束外延设备制备全庞磁电阻钙钛矿氧化物异质结。进一步优化制备条件，使其达到更小尺度的外延生长，尽量消除界面缺陷的影响。对异质结的电子结构，受磁场调制的I-V整流特性和庞磁电阻效应等进行研究。并在保证一定磁电阻比率的前提下，重点探讨如何降低磁场、提高磁转变温度，为n型庞磁电阻在磁传感器，磁记录，磁存储方面的应用打下基础。