NEA GaN光电发射机理及其制备技术研究

NEA GaN 是一种性能优良的新型紫外光电阴极，在电子束平版印刷，微弱紫外信号探测等领域应用潜力巨大，国内对NEA GaN 的研究尚处起步阶段。项目组在NEA GaAs 光电阴极研究的基础上，参考国外的相关研究成果，利用多信息量测试评估手段，对NEA GaN的材料、光电发射机理、净化和激活工艺以及NEA表面的形成机理开展研究。探索GaN光电发射本质是本项目研究的核心内容。本项目将建立NEA GaN光电发射的理论模型，探讨优化的阴极净化和激活工艺，揭示激活过程中GaN表面负电子亲和势的形成机理，建立NEA GaN的表面模型。此项课题的研究可进一步提高对NEA光电发射理论的认识，对研制高性能的紫外光电发射材料具有重要的理论意义。