抗低温氧化型二硅化钼电热材料的设计
基本信息
批准号：50372078
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：江莞
学科分类：
依托单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：施鹰,王刚,冯纪伟,黄毓敏,张玉峰
关键词：
低温氧化显微结构设计MoSi2
结项摘要
本项目针对当前急需的抗低温氧化型MoSi2电热材料所面临的问题进行研究，根据MoSi2的低温氧化机理和复合材料结构与性能关系理论，创新性的对其显微结构进行设计，利用与MoSi2相容的添加相对其界面进行控制，形成特定的显微结构来阻止MoSi2基体内部的氧化。这样不仅能从根本上解决MoSi2的低温氧化问题。同时也保证了MoSi2材料原有的良好抗热冲击、导电性能。该成果将直接应用于半导体设备制造业及空间
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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