胶质细胞CBR2激活在电针预处理诱导延迟相脑缺血耐受中作用

探讨内源性大麻素受体CBR2与胶质细胞活化关系，是阐明电针预处理诱导延迟相脑缺血耐受机制的关键问题。我们率先发现电针预处理能增加内源性大麻素配体的合成，上调大麻素受体CBR1和CBR2表达，产生脑缺血保护作用；尤其在预实验中又发现，电针预处理产生的延迟相脑保护效应与CBR2激活密切相关，但CBR2激活发挥延迟相效应的机制尚不清楚。文献认为胶质细胞对神经元具有保护和损害双重效应；且有学者证实，CBR2激活的胶质细胞有抗炎和神经保护作用，针灸的神经保护作用与抑制胶质细胞过度活化密切相关。由此推测，电针预处理可能通过激活CBR2、调控胶质细胞活化、抑制炎症反应诱导延迟相脑缺血耐受。本项目拟从电针激活CBR2调控胶质细胞活化入手，从组织、细胞和分子等多个层面，研究胶质细胞CBR2激活在电针预处理延迟相脑缺血耐受中的作用，为阐明内源性大麻素系统在电针预处理脑保护作用中的机制提供新的理论依据。

探讨内源性大麻素受体CBR2与胶质细胞活化关系，是阐明电针预处理诱导延迟相脑缺血耐受机制的关键问题。我们率先发现电针预处理能增加内源性大麻素配体的合成，上调大麻素受体CBR1和CBR2表达，产生脑缺血保护作用；尤其在预实验中又发现，电针预处理产生的延迟相脑保护效应与CBR2激活密切相关。有学者证实CBR2激活的胶质细胞有抗炎和神经保护作用，针灸的神经保护作用与抑制胶质细胞过度活化密切相关。但是电针通过CBR2发挥脑保护作用的机制尚不清楚，是否与小胶质细胞相关不得而知。因此，本课题从电针激活CBR2入手，从多个层面深入研究，获得如下结果：1.脑缺血再灌注后，半暗带内小胶质细胞数量明显增加，突起明显减少。M2型标志分子表达于再灌注后7天，M1型标志分子表达于再灌注后24小时。2.电针预处理可上调脑缺血后小胶质细胞M2型标志分子，促进小胶质细胞由M1型向M2型转变。3.CB2R激动剂可模拟电针预处理上调M2型标志分子表达的作用，而CB2R拮抗剂逆转电针预处理对小胶质细胞的调控作用。4.上调TREM2的表达可促进小胶质细胞向M2型转变，发挥神经保护作用，TREM2可能是反映小胶质细胞功能活化状态转变的重要信号分子。由此表明电针预处理可激活CB2R，调控脑缺血再灌注损伤后小胶质细胞的活化状态，诱导延迟相脑保护作用，然而小胶质细胞活化状态的改变是否通过减轻大脑炎症反应参与电针预处理脑保护作用需要我们下一步研究，且作为能够影响小胶质细胞活化状态的TREM2与CB2R之间是否相关也值得进一步探索。