用现代核分析技术研究磁性存储材料的介观行为
基本信息
批准号：19975067
项目类别：面上项目
资助金额：16.50
负责人：蔡英文
学科分类：
依托单位：上海交通大学
批准年份：1999
结题年份：2002
起止时间：2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张桂林,倪新伯,李爱国,黄建鸣,叶伯年,俞钢辉,魏仑,顾明
关键词：
现代核分析技术磁性存储材料介观行为
结项摘要
针对具有极大发展潜力的磁性存储材料，应用离子束组合集成技术制造磁性芯片，并采用先进的面陈列克尔效应检测技术筛选性能优良的结构单元，通过现代核分析手段分析和研究芯片单元的介观结构和行为与磁性能的对应关系，从而探索从原子的电子结构出发，进行材料的设计和筛选的新思路，为开发新型高性能磁性存储材料奠定基础。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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