高压辅助自蔓延制备HfB2-SiC超高温陶瓷及烧结机理研究

基本信息
批准号:51502212
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:21.00
负责人:刘江昊
学科分类:
依托单位:武汉科技大学
批准年份:2015
结题年份:2018
起止时间:2016-01-01 - 2018-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:陈晓霞,邓先功,黄仲,程峰
关键词:
HfB2SiC复合材料超高温陶瓷自蔓延高温合成反应快速致密化显微结构织构化
结项摘要

Ultra-high temperature ceramics (UHTCs) of hafnium boride bonded silicon carbide (HfB2-SiC) is of strategic importance in kinds of cutting-edge technology, including aviation & aerospace and national defense industry. However, the existing methods for preparing HfB2-SiC composites suffers from the following disadvantages, including the requirement of a high sintering temperature or a long soaking duration, high energy consumption, as well as the likelihood of arousing significant grain growth, which impedes improvement in the property of HfB2-SiC composites. In this view, a novel high-pressure-assisted self-propagating high-temperature synthesis method is developed with this project, for in-situ synthesis and rapid sintering of high-performance HfB2-SiC composites. The research of this project is focused on: (1) Efficient and energy-saving preparation the UHTCs of HfB2-SiC with a high density and a small grain size; (2) Revealing the influence of high pressure and SHS conditions on the microstructure and performance of HfB2-SiC composites; (3) Elucidating the responsible mass-transfer mechanisms for microstructural texturation and rapid densification of HfB2-SiC composites, and investigating its mechanical properties and oxidation resistance. This project is attempted to offer new ideas to develop the preparation method of HfB2-SiC composites with excellent mechanical properties and oxidation resistance, and provide theoretic guidance for the development of preparation technique of UHTCs.

硼化铪-碳化硅超高温陶瓷材料在航天航空、国防工业等尖端科技领域具有特别重要的战略意义。现有的硼化铪-碳化硅复合材料的制备方法存在着烧结温度高、保温时间长、能耗高、产物的晶粒尺寸较大且性能难以满足需求等缺点。因此,本课题拟采用高压自蔓延法,原位合成同步快速烧结制备高性能的硼化铪-碳化硅复合材料。研究重点为:首先,高效率、低能耗地制备致密、细晶的硼化铪-碳化硅超高温陶瓷;其次,揭示高压自蔓延法的制备工艺条件对硼化铪-碳化硅复合材料的显微结构和性能的影响规律;最后,阐明硼化铪-碳化硅复合材料的结构织构化和快速致密化的机理,并研究其力学性能和抗氧化性能的优化。本研究有望为制备具有优异的力学性能和抗氧化性能的硼化铪-碳化硅复合材料的制备提供新思路,并为超高温陶瓷制备技术的发展提供理论指导。

项目摘要

硼化铪-碳化硅超高温陶瓷材料在航天航空、国防工业等尖端科技领域具有特别重要的战略意义。现有的硼化铪-碳化硅复合材料的制备方法存在着烧结温度高、保温时间长、能耗高、产物的晶粒尺寸较大且性能难以满足需求等缺点。因此,本课题采用高压自蔓延法,原位合成同步快速烧结制备高性能的硼化铪-碳化硅复合材料。.本项目开发了“化学炉辅助高压自蔓延法”,原位合成/烧结制备具有高纯度、高致密度和织构化显微结构的HfB2-SiC复合材料,明确了“化学炉”的组成和用量、最高反应温度、保温时间、外加压力和保压时间等主要工艺参数对烧结材料的物相组成、显微结构和力学性能的影响。研究结果显示,“化学炉”不仅发挥了延长烧结保温时间作用,而且避免烧结材料被氧化污染以及在高压作用下发生塑性开裂现象。此外,合适的反应温度有助于合成产物的烧结和避免成分外溢,而过高的反应温度将阻碍烧结材料的快速致密化及力学性能强化。.采用“化学炉辅助高压自蔓延法”,在烧结温度为1460°C/20 min、外加压力为100 MPa/5 min以及原料组成为n(B4C)/n(HfSi2)=3.0的条件下制备的HfB2-SiC复合材料具有高硬度(24.8±1.3 GPa) 以及优异的断裂韧性(5.0±0.4 MPa•m1/2)。此突出的力学性能应被归因于烧结材料的高相对致密度(99.3%)和棒状HfB2单晶组成的织构化显微结构。.研究结果证实,“高压自蔓延法”在制备HfB2-SiC超高温陶瓷方面具有多种重要优势:①高压力有助于强化扩散致密化机制的作用效果,并且可能触发更加高效的“塑性流动”致密化机制,从而促进原位合成的HfB2-SiC的快速致密化进程;②自蔓延反应的强放热特性可使反应物熔融,从而为HfB2晶粒的取向生长提供适宜的液相环境,并且协同高外加压力诱导HfB2晶粒进行取向一致化地排列,由此促进HfB2-SiC复合材料的结构织构化及基于“自增韧”机制的韧性强化;③超高升温速率可大幅度地降低B2O3的挥发损失,从而有效地防止HfB2-SiC复合材料的表面保护层破坏,并且抑制基于蒸发-凝聚机制的晶粒生长,由此促进HfB2-SiC复合材料的快速致密化以及力学性能改善。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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