磁性隧道结是自旋电子学中的重要构件,以其隧穿磁电阻效应为原理的磁随机存储器巳有重要应用。以二个铁磁(FM)电极组成的FM/A/FM 双隧道结有丰富的物理内涵,其中间层A 可以是普通金属、铁磁金属、超导体、或半导体。中间层的厚度处于纳米量级,是一个典型的介观系统。随中间层厚度变化,隧穿电流呈现相干共振隧穿到顺序隧穿的过渡。本项目研究各种组合的双隧道结的量子输运和新颖的物理效应,包括隧穿磁电阻振幅衰减的振荡,各类配对超导对称性的隧道谱,铁磁和超导的邻近效应和局域共存,Andreev反射的效应,半导体中的自旋注入和检测,对不同自旋通道输出不同电位的"自旋电池"等。通过对磁性隧道结为基元的纳米结构和器件原理的研究,为自旋电子学提供有用的基础研究成果。
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数据更新时间:2023-05-31
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