半导体量子点激光材料瞬态光谱特性及超快现象研究

利用分子束外延设备，采用S-K自组织生长模式，针对生长出的高质量InAs/GaAs和InGaAs/GaAs量子点半导体材料。利用时间分辨荧光光谱和泵浦探测瞬态反射谱等时间分辨超快光谱技术研究量子点尺寸、密度、均匀性、浸润层能量和势垒高度等内在因素以及激发强度、实验温度、激发能量和探测能量等实验条件对量子点载流子弛豫、复合过程的影响。从实验和理论上探究载流子激发、弛豫、俘获和达到热平衡过程对其激光特性、阈值电流、发光效率、特征温度、调制特性等的影响。建立相关物理模型，完善量子点载流子瞬态弛豫机制，初步探讨量子点材料的时空量子限制效应，为优化和提高半导体材料与器件性能提供理论和实验指导。