磁性半导体异质结构材料和自旋极化半导体激光器
基本信息
批准号：90201007
项目类别：重大研究计划
资助金额：24.00
负责人：陈涌海
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：徐波,叶小玲,杨少延,孟宪权,何军
关键词：
磁性半导体激光器偏振
结项摘要
研究半导体超晶格结构中磁性原子间以空穴为媒介的铁磁交换作用机制；结合分子束外延技术和磁性离子注入技术，研究出基于超晶格结构的、具有室温铁磁性的磁性半导体材料；以此磁性半导体材料为P区，以应变自组装量子点材料为有源区，制备出偏振可控的自旋极化半导体激光器。
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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