涂层导体用金属基带表面超结构与隔离层成核机理的研究

近年来涂层导体的研究取得了突破性进展，成为当前国际超导研究的热点。但主要的工作集中在制备工艺的研究，关于涂层导体的基础理论工作开展的很少。如何获得具有立方织构取向的隔离层是制备涂层导体的关键。研究发现，在有硫（S）超结构的基带上生长的氧化物隔离层有很强的(002)取向，而在没有超结构的基带上生长的隔离层易形成(111)取向。显然，超结构的存在影响了隔离层的生长。但是由于超结构仅仅是基带表面一两个原子层的厚度，很难评价，对它的研究也很少。本申请将针对这方面开展工作。通过再结晶和H2S气氛热处理在金属镍基带表面形成超结构，通过改变热处理条件形成不同结构和含量的超结构，然后再在有超结构的基带上生长氧化物隔离层，研究超结构的形成机理及其对隔离层成核和生长的影响。目的在于掌握金属基带上硫超结构的形成机理，了解超结构对隔离层成核、生长的影响，为在金属基带上制备出强立方取向的隔离层提供理论依据。