金属硅熔体的化学、物理提纯机理和廉价太阳电池多晶硅片的制备

降低硅太阳电池成本，始终是科技攻关的主题。随着硅太阳电池的飞速发展，目前使用复拉料、埚底料做原料制备硅片，已满足不了要求。只得采用三级多晶硅（等外品）原料。多晶硅是用西门子法，通过化学提纯三氯氢硅后，在还原炉内用氢还原淀积而得。由于工艺复杂、周期长而导致成本提高。本项目拟采用４N（99.99％，四个"九"）的金属硅熔体做原料，用化学、物理方法提纯，去除高温熔硅中的重金属杂质，降低氧碳含量，使4N金属硅达到6N纯度。研究４N金属硅的提纯机理，并制备太阳电池芯片用的多晶硅片，使衬底硅片成本大大下降。该项目的研究，不但具有学术意义，而且具有重大经济效益。