碳化硅材料氧化膜改性、表面复合涂层与高温导电性能

硅/碳直接反应法制备致密碳化硅材料，气孔率≤0.5%，室温电阻率<0.03Ωcm；反应烧结—重结晶法在1800℃制备了重结晶碳化硅材料，β-α-碳化硅的相变促进了再结晶过程，改善材料晶粒间的结合，材料电阻率0.1-0.2Ωcm。通过对反应烧结碳化硅材料显微结构的控制可控制重结晶材料的电阻率。氮、铝、镍、钼元素的添加明显降低反应烧结碳化硅材料的室温电阻率，氮和镍或钼复合加入具有更明显效果。铝、镍、钼和氧化锆、氧化钕的加入改善了氧化膜抗破裂能力，提高重结晶碳化硅材料高温抗氧化能力，增强材料提高材料高温电阻稳定性。莫来石和二硅化钼涂层有效提高材料高温抗氧化能力。有关成果已得到应用。