超高频体模式电容谐振器及其能量损耗机理研究

MEMS谐振器由于具有低功耗、宽频带、体积小、以及能与CMOS工艺兼容等优点，因此人们正逐步采用MEMS谐振器代替传统的片下、大体积频率选择器件，以满足高性能无线通讯和传感检测技术的需求。尽管MEM谐振器研究取得了卓有成效的研究成果，但在其发展进程中也遇到了诸多问题，提高MEMS谐振器的动态特性是需要重点解决的。本项目提出开展一种可高频、高Q值（f>100MHz，Q>100000）工作的单晶硅体模式纳隙电容谐振器研究。首先，通过系统研究体模式谐振器的能量损耗产生机理和减小能量损耗的方法，建立谐振器的机械和等效电路模型，从器件材料、器件结构、结构参数、固支方式等方面综合研究谐振器的设计方法。其次，针对纳隙电容谐振器的特殊结构，基于HARPSS工艺研究电容极板间隙在亚100nm体模式谐振器的成套制备技术，并解决关键制备工艺问题。最后，研究体模式谐振器与IC的单片集成设计技术和集成工艺兼容性。